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J-GLOBAL ID：201102255058961173   整理番号：11A1492038

水素吸着GaAs表面におけるN取り込み過程の第一原理計算による考察

著者 (3件)： 川野潤 (九大 応用力学研) ,  寒川義裕 (九大 応用力学研) ,  柿本浩一 (九大 応用力学研)
資料名： 応用物理学会学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts of the Meeting. Japan Society of Applied Physics (CD-ROM))
巻： 72nd  ページ： ROMBUNNO.30P-ZA-1  発行年： 2011年08月16日 
JST資料番号： Y0055B  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *ヒ化ガリウム ,  第一原理 ,  吸着 ,  水素 ,  窒素 ,  取込 ,  *表面構造 ,  効果 ,  *結晶成長 ,  半導体薄膜
準シソーラス用語： 置換効果

分類 (1件)： 薄膜成長技術・装置  (BK14020I)

タイトルに関連する用語 (5件)： 水素吸着 ,  GaAs ,  取り込み ,  過程 ,  第一原理計算