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J-GLOBAL ID：201102268203152763   整理番号：11A0797860

熱力学解析によるGaAsN成長における原料ガスの違いによる影響の検討

著者 (7件)： 川野潤 (九大 応用力学研) ,  寒川義裕 (九大 応用力学研) ,  寒川義裕 (九大 大学院) ,  屋山巴 (九大 大学院) ,  柿本浩一 (九大 応用力学研) ,  柿本浩一 (九大 大学院) ,  纐纈明伯 (東京農工大 工)
資料名： 応用物理学関係連合講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts of the Spring Meeting, Japan Society of Applied Physics and the Related Societies)
巻： 58th  ページ： ROMBUNNO.25P-BQ-12  発行年： 2011年03月09日 
JST資料番号： Y0054B  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： 太陽電池 ,  *ガリウム化合物 ,  *ヒ化物 ,  *窒化物 ,  気相成長 ,  化合物半導体 ,  *薄膜成長 ,  半導体薄膜 ,  数値計算 ,  熱力学的性質 ,  アルシン ,  多窒素化合物 ,  アンモニア ,  分圧 ,  エピタクシー
準シソーラス用語： 化合物太陽電池 ,  *窒化ヒ化ガリウム ,  熱力学的特性 ,  ヒ化水素 ,  ジメチルヒドラジン ,  ガス分圧

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

物質索引 (1件)： トリメチルガリウム

タイトルに関連する用語 (3件)： 熱力学解析 ,  成長 ,  原料ガス