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J-GLOBAL ID：201102274465946760   整理番号：11A0797861

水素吸着したGaAs(N)表面における窒素取り込み

著者 (3件)： 川野潤 (九大 応用力学研) ,  寒川義裕 (九大 応用力学研) ,  柿本浩一 (九大 応用力学研)
資料名： 応用物理学関係連合講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts of the Spring Meeting, Japan Society of Applied Physics and the Related Societies)
巻： 58th  ページ： ROMBUNNO.25P-BQ-13  発行年： 2011年03月09日 
JST資料番号： Y0054B  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *ガリウム化合物 ,  *ヒ化物 ,  *窒化物 ,  MOCVD ,  CBE成長 ,  第一原理 ,  結晶構造 ,  *表面構造 ,  数値計算 ,  太陽電池 ,  エネルギー計算 ,  状態図 ,  原子 ,  水素 ,  薄膜成長 ,  化合物太陽電池 ,  吸着原子 ,  *ヒ化窒化ガリウム ,  *構造
準シソーラス用語： *窒化ヒ化ガリウム ,  MOVPE ,  相図

分類 (1件)： 半導体の表面構造  (BK15030A)

タイトルに関連する用語 (4件)： 水素吸着 ,  GaAs ,  窒素 ,  取り込み