特許
J-GLOBAL ID：201103016072133690
昇圧回路及び昇圧回路を備えた不揮発性半導体記憶装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴江 武彦
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-354151
公開番号（公開出願番号）：特開平7-111095
特許番号：特許第3162564号
出願日： 1993年12月28日
公開日（公表日）： 1995年04月25日
請求項（抜粋）：
【請求項1】入力電位を昇圧して出力する複数個の昇圧セルと、これらの昇圧セルの接続状態を切換える接続切換え回路とを具備し、前記接続切換え回路は、昇圧セルを1個又は複数個直列に接続して構成する昇圧セル群を出力に対して並列に接続し、かつ出力電位の上昇に従って前記昇圧セル群内の前記昇圧セルの数を増やすと共に、前記昇圧セル群の数を減らすことを特徴とする昇圧回路。
IPC (2件)：
FI (2件)：
G11C 17/00 632 A
, H02M 3/07
