特許
J-GLOBAL ID：201103024649322210
集積型光逓倍変調装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
福田 賢三
, 福田 伸一
, 福田 武通
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-342917
公開番号（公開出願番号）：特開2002-148572
特許番号：特許第3577508号
出願日： 2000年11月10日
公開日（公表日）： 2002年05月22日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 ひとつのInP半導体基板上に形成され た、(1)InGaAsの吸収層と該吸収層を挟むN型InGaAs半導体層とP型InP半導体とを備える光変調器と、(2)N型InGaAs半導体層とP 型InGaAs半導体層とをもった光増幅器と、どちらも同じ感光性ガラスあるいは低融点ガラス層に形成された(3)狭帯域フィルタと(4)帯域制限フィルタとを、備える集積型光逓倍変調装置で、nを予め決められた1以上の整数とするとき、(5)予め決められた周波数の光を変調して、その第n次側帯波群を得る構成と、(6)該第n次側帯波群を変調して第n+1次側帯波群を得る構成と、(7)該第n+1次側帯波群の少なくとも一部の側帯波を選択する構成と、(8)その光路は、反射手段によって折り返されている構成と、(9)その変調手段には、次数の異なる側帯波群が入力される構成と、を、備え、 (10)狭帯域フィルタ は、変調を受ける前の上記の予め決められた周波数の光を通過させ、その他の周波数の光については反射する特性を持ち、(11)帯域制限フィルタは、変調を受ける前の上記の予め決められた周波数の光を反射する特性を持ち、 (12)上記の狭帯域フィルタと帯域制限フィルタの裏面には、それぞれの温度調整装置が設けられていることを特徴とする集積型光逓倍変調装置。
IPC (2件)：
FI (3件)：
G02F 1/01 F
, G02F 1/01 B
, G02F 1/025
