特許
J-GLOBAL ID：201103037626169524
不揮発性半導体記憶装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (7件)：
鈴江 武彦
, 村松 貞男
, 坪井 淳
, 橋本 良郎
, 河野 哲
, 中村 誠
, 河井 将次
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-172251
公開番号（公開出願番号）：特開平11-016381
特許番号：特許第3557078号
出願日： 1997年06月27日
公開日（公表日）： 1999年01月22日
請求項（抜粋）：
【請求項1】ゲートとソースとドレイン及び電荷蓄積層を有する電気的に書き換え可能な複数のメモリセルがマトリクス状に配置されたメモリセルアレイと、前記メモリセルにデータを書き込むデータ書込手段と、前記メモリセルのデータを読み出すデータ読出手段と、前記メモリセルのデータを消去するデータ消去手段と、を有し、前記メモリセルへのデータの書き込みの際、書き込み禁止される所定のメモリセルに対し、ゲートに第1の信号を印加し、ソース及びドレインの少なくともいずれかに容量結合したノードに第2の信号を印加する不揮発性半導体記憶装置において、前記第1の信号が前記第2の信号より遅れて立ち下がるように制御されることを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。
IPC (2件)：
FI (2件)：
G11C 17/00 611 F
, G11C 17/00 622 E
