特許
J-GLOBAL ID：201103050700683657
不揮発性半導体記憶装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴江 武彦
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-299940
公開番号（公開出願番号）：特開平9-147583
特許番号：特許第3648304号
出願日： 1995年11月17日
公開日（公表日）： 1997年06月06日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 データの記憶状態によりしきい値電圧が異なるメモリセルに対し、読み出し電圧の印加により記憶されたデータを読み出す不揮発性半導体記憶装置において、 前記読み出し電圧を発生するために、ダイオードの温度依存性を利用したバンドギャップリファレンス回路からなり、前記メモリセルのしきい値電圧の温度依存性に応じて温度依存性を変えられる定電圧を発生する定電圧発生回路と、この定電圧発生回路の出力電圧から必要な読み出し電圧を生成する電圧変換回路とを具備し、 前記定電圧発生回路は、前記電圧変換回路で得られる読み出し電圧の温度依存性が前記メモリセルのしきい値電圧の温度依存性と一致するように定電圧の温度依存性を設定するものであることを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。
IPC (4件)：
G11C 16/06
, H01L 21/8247
, H01L 29/788
, H01L 29/792
G11C 17/00 632 C
, H01L 29/78 371
