特許

J-GLOBAL ID：201103051913463045

不揮発性半導体メモリ

発明者： 丹沢 徹 ,  渥美 滋
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (6件)： 鈴江 武彦 ,  村松 貞男 ,  橋本 良郎 ,  河野 哲 ,  中村 誠 ,  河井 将次
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-260391
公開番号（公開出願番号）：特開2003-157685
特許番号：特許第4047673号
出願日： 2002年09月05日
公開日（公表日）： 2003年05月30日
請求項（抜粋）：

【請求項1】第1のアドレスサブセットAj(j=0,...,J-1)、第2のアドレスサブセットAk(k=J,...,K-1)及び第3のアドレスサブセットAl(l=K,...,L-1)をそれぞれ含むアドレス信号Ai(i=0,...,I-1)によって、少なくとも1つが指定される複数の不揮発性メモリセルと、 前記複数の不揮発性メモリセルにそれぞれ接続される複数のワード線及び複数のビット線と、 第1のアドレスサブセットとして第1のカラムアドレスが入力され、第2のアドレスサブセットとして第1のロウアドレスが入力され、第3のアドレスサブセットとして第2のカラムアドレスが入力されるアドレスバッファと、 前記アドレスバッファの出力信号が供給され、前記複数の不揮発性メモリセルのうちの少なくとも1つを選択するように構成されたデコーダとを具備し、 前記複数のビット線は少なくとも前記第3のアドレスサブセットにより選択され、前記複数のワード線は少なくとも前記第2のアドレスサブセットにより選択されることを特徴とする不揮発性半導体メモリ。

IPC (2件)：

G11C 16/02 ( 200 6.01) ,  G11C 16/06 ( 200 6.01)

FI (3件)：

G11C 17/00 613 ,  G11C 17/00 633 A ,  G11C 17/00 634 A