文献
J-GLOBAL ID：201202109183365290   整理番号：12A1456884

加工基板を用いたMBE選択成長法によるGaAsリッジ構造の形成と評価

  • 出版者サイト 複写サービスで全文入手
  • 高度な検索・分析はJDreamⅢで {{ this.onShowJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=12A1456884&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=Y0055A") }}
著者 (3件)：
佐藤威友

佐藤威友 について

, 
玉井功

玉井功 について

, 
長谷川英機

長谷川英機 について


資料名：
応用物理学会学術講演会講演予稿集  (Extended Abstracts. Annual Meeting. Japan Society of Applied Physics)

応用物理学会学術講演会講演予稿集 について


巻： 62nd  号： 3  ページ： 1048  発行年： 2001年09月11日 
JST資料番号： Y0055A  資料種別： 会議録 (C)
発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)
タイトルに関連する用語 (5件)：
タイトルに関連する用語
J-GLOBALで独自に切り出した文献タイトルの用語をもとにしたキーワードです
MBE

MBE について

, 
選択成長

選択成長 について

, 
GaAs

GaAs について

, 
リッジ

リッジ について

, 
評価

評価 について


前のページに戻る

TOP

BOTTOM