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J-GLOBAL ID：201202293345109280   整理番号：12A0309385

GaAsN気相エピタキシーにおける窒素取り込みに関する理論的検討

著者 (8件)： 川野潤 (九大 応用力学研) ,  寒川義裕 (九大 応用力学研) ,  寒川義裕 (九大 大学院) ,  屋山巴 (九大 大学院) ,  伊藤智徳 (三重大 大学院) ,  柿本浩一 (九大 応用力学研) ,  柿本浩一 (九大 大学院) ,  纐纈明伯 (東京農工大 大学院)
資料名： 結晶成長国内会議予稿集(CD-ROM)  (JCCG予稿集(CD-ROM))
巻： 41st  ページ： ROMBUNNO.03AB07  発行年： 2011年 
JST資料番号： L6730B  ISSN： 2188-7268  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *窒素 ,  *気相成長 ,  エピタクシー ,  CBE成長 ,  混晶半導体 ,  MOCVD ,  *ガリウム化合物 ,  *ヒ化物 ,  *窒化物 ,  水素吸蔵 ,  バンドギャップ

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (4件)： 気相エピタキシー ,  窒素 ,  取り込み ,  理論