特許
J-GLOBAL ID：201203036091313460
2トーン光による光検出器の特性評価方法
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
廣瀬 隆行
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-180653
公開番号（公開出願番号）：特開2012-037493
出願日： 2010年08月11日
公開日（公表日）： 2012年02月23日
要約：
【課題】 本発明は,光2トーン信号を得るための方法を提供することを目的とする。また,本発明は光2トーン信号を用いた検出器の特性評価方法を提供することを目的とする。【解決手段】 本発明は,基本的にはネスト型のMZM(DPMZM)を用いた光2トーン光の生成方法に関する。そして,本発明は,2つのサブMZMに高周波信号(f1及びf2)を印加し,メインMZMのバイアス電圧を調整して,2つのサブMZMから出力されるDSB-SC変調信号の位相差をπ/2とする。そして,高速光検出器で二乗検波する。すると,クロスターム成分(f1-f2及びf1+f2)が抑圧された高周波信号の2倍周波数成分(2f1及び2f2)からなる光2トーン信号を得ることができるという知見に基づく。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
光源(11)と前記光源(11)からの光が入射する光変調器(12)と光検出器(13)を用いた光信号の生成方法であって,
前記光変調器(12)は,第1のアーム及び第2のアームを含むメインマッハツェンダー導波路(14)を有し,
前記第1のアーム及び第2のアームにはそれぞれ第1のサブマッハツェンダー導波路(15)及び第2のサブマッハツェンダー導波路(16)が設けられ,
前記第1のサブマッハツェンダー導波路(15)及び第2のサブマッハツェンダー導波路(16)は,それぞれ変調電圧及びバイアス電圧のいずれか又は両方を印加するための第1の電極(21)及び第2の電極(22)を有し,
前記メインマッハツェンダー導波路(14)は,前記第1のサブマッハツェンダー導波路(15)及び第2のサブマッハツェンダー導波路(16)からの出力信号の位相差を制御するための第3の電極(23)を有し,
前記第1の電極(21)及び前記第2の電極(22)にそれぞれ周波数がf1及びf2である第1の変調信号及び第2の変調信号を印加する工程と,
前記光変調器(12)からの出力信号を前記光検出器(13)が二乗検波して得られるf1+f2成分及びf1-f2成分のいずれか又は両方が抑圧されるように前記第3の電極(23)に印加されるバイアス電圧を調整する工程と,
を含む,
前記第1の変調信号及び第2の変調信号の2倍の周波数成分を含む光2トーン信号を発生する方法。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (2件)：
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