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J-GLOBAL ID：201302207894448006   整理番号：13A0600314

g-因子制御GaAs系量子井戸に作成した横型量子ドットにおける単一光子応答

著者 (8件)： 藤田高史 (東大 工) ,  森本和浩 (東大 工) ,  寺岡総一郎 (東大 工) ,  ALLISON Giles (Princeton Univ.) ,  LUDWIG Arne (Ruhr-Univ. Bochum) ,  WIECK Andreas (Ruhr-Univ. Bochum) ,  大岩顕 (東大 工) ,  樽茶清悟 (東大 工)
資料名： 日本物理学会講演概要集  (日本物理学会年次大会講演概要集)
巻： 68  号： 1 第4分冊  ページ： 743  発行年： 2013年03月05日 
JST資料番号： S0671B  ISSN： 1342-8349  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *量子ドット ,  *量子井戸 ,  ヘテロ接合 ,  化合物半導体 ,  *ヒ化ガリウム ,  g因子 ,  光子 ,  応答 ,  サファイアレーザ ,  Ti-サファイアレーザ ,  単一光子
準シソーラス用語： 光応答

分類 (1件)： 13-15族化合物を含む半導体-半導体接合  (BM03082Y)

タイトルに関連する用語 (7件)： 因子 ,  GaAs ,  量子井戸 ,  横型 ,  量子ドット ,  単一光子 ,  応答