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J-GLOBAL ID：201302211019204320   整理番号：13A0022045

太陽電池用窒化物エピタキシャル成長機構の理論検討

著者 (5件)： 寒川義裕 (九大 応用力学研) ,  川野潤 (九大 応用力学研) ,  川野潤 (北大 創成研究機構) ,  VALENCIA Hubert (九大 応用力学研) ,  柿本浩一 (九大 応用力学研)
資料名： 結晶成長国内会議予稿集(CD-ROM)  (JCCG予稿集(CD-ROM))
巻： 42nd  ページ： ROMBUNNO.10AA05  発行年： 2012年 
JST資料番号： L6730B  ISSN： 2188-7268  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *太陽電池 ,  化合物半導体 ,  光吸収 ,  不純物 ,  半導体薄膜 ,  *CBE成長 ,  インジウム化合物 ,  ガリウム化合物 ,  ヒ化物 ,  窒化物 ,  エネルギー変換効率 ,  光学ギャップ ,  キャリア寿命 ,  *III-V半導体 ,  *タンデム太陽電池
準シソーラス用語： *III-V族化合物半導体 ,  *多接合太陽電池

分類 (2件)： 太陽電池  (NC03084O) ,  半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (4件)： 太陽電池 ,  窒化物 ,  エピタキシャル成長 ,  理論