特許

J-GLOBAL ID：201303037445153574

高速逓倍信号発生方法及び装置

発明者： 川西 哲也 ,  坂本 高秀 ,  土屋 昌弘
出願人/特許権者： 独立行政法人情報通信研究機構
代理人 (1件)： 廣瀬 隆行
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-532998
特許番号：特許第5261767号
出願日： 2006年09月06日
請求項（抜粋）：

【請求項1】 消光比を高める機構を有するマッハツェンダー型変調器のバイアスをフルバイアスとして出力光の奇数次成分を抑圧する工程と, 前記奇数次成分が抑圧された光から,光フィルタを用いて0次成分を取り除く工程と, 前記0次成分を取り除かれた光信号のうち2次成分及び-2次成分の差周波信号を得ることにより変調信号の4倍の周波数を有する光信号である4倍波成分を得る工程と, を有し, 前記消光比を高める機構を有するマッハツェンダー型変調器は, 第1のサブマッハツェンダー導波路(MZA)(2)と, 第2のサブマッハツェンダー導波路(MZB)(3)と, 光信号の入力部(4)と,前記光信号が前記第1のサブマッハツェンダー導波路(MZA)と前記第2のサブマッハツェンダー導波路(MZB)とへ分岐する分岐部(5)と,前記第1のサブマッハツェンダー導波路(MZA)と前記第2のサブマッハツェンダー導波路(MZB)から出力される光信号が合波される合波部(6)と,前記合波部で合波された光信号が出力される光信号の出力部(7)とを含むメインマッハツェンダー導波路(MZC)(8)と, 前記第1のサブマッハツェンダー導波路(MZA)の第1の電極(電極A)(9)と, 前記第2のサブマッハツェンダー導波路(MZB)の第2の電極(電極B)(10)と, 前記メインマッハツェンダー導波路(MZC)のメインマッハツェンダー電極(電極C)(11)と, 前記第1の電極(9),前記第2の電極(10)及び前記メインマッハツェンダー電極(11)に変調信号とバイアス電圧のいずれかまたは両方を印加するための信号源(12)と, を具備するものであり, 前記消光比を高める機構を有するマッハツェンダー型変調器として, 前記メインマッハツェンダー導波路から出力される光信号の強度が最大となるように各マッハツェンダー導波路のバイアス電圧を調整する第1のバイアス調整工程と, 前記各サブマッハツェンダー導波路に印加するバイアス電圧は,前記第1のバイアス調整工程で得られた値のままとしつつ,前記第1のバイアス調整工程で観測された光信号の強度をMaxとしたときに,前記メインマッハツェンダー電極に印加されるバイアス電圧を,前記メインマッハツェンダー導波路から出力される光信号の出力が前記Maxの40%以上60%以下となるように調整する第2のバイアス調整工程と, を含むバイアス電圧の調整方法を用いてバイアス電圧を調整したものを用いる 逓倍信号の生成方法。

IPC (2件)：

G02F 1/03 ( 200 6.01) ,  G02F 1/035 ( 200 6.01)

FI (2件)：

G02F 1/03 502 ,  G02F 1/035

引用文献：

出願人引用 (2件)

• 76-GHz Millimeter-Wave Generation Using MZ LiNbO3 Modulator with Drive Voltage of 7Vp-p and 19GHz Si
• Quadruple Frequency Double Sideband Carrier Suppressed Modulation Using High Extinction Ratio Optica

審査官引用 (2件)

• 76-GHz Millimeter-Wave Generation Using MZ LiNbO3 Modulator with Drive Voltage of 7Vp-p and 19GHz Si
• Quadruple Frequency Double Sideband Carrier Suppressed Modulation Using High Extinction Ratio Optica