特許

J-GLOBAL ID：201303044115981590

複数のマッハツェンダー干渉計を有する光変調器の特性評価方法

発明者： 川西 哲也 ,  千葉 明人 ,  市川 潤一郎 ,  須藤 正明
出願人/特許権者： 独立行政法人情報通信研究機構 ,  住友大阪セメント株式会社
代理人 (3件)： 廣瀬 隆行 ,  関 大祐 ,  野津 万梨子
公報種別：再公表公報
出願番号（国際出願番号）：JP2009004406
公開番号（公開出願番号）：WO2011-027409
出願日： 2009年09月07日
公開日（公表日）： 2011年03月10日
要約：

【課題】 本発明は,特に,複数のマッハツェンダー干渉計(MZI)を含む光変調器における個々のMZIの特性を評価する方法を提供することを目的とする。 【解決手段】 この方法は,複数のMZIを含む光変調器からの出力強度を測定する工程と,サイドバンドを用いてMZIの特性を評価する工程とを含む。出力強度を測定する工程は,光変調器からの出力光に含まれるサイドバンド信号の強度Sn,kを求める工程である。特性を評価する工程は,Sn,kを用いて,MZIKの特性を評価する工程である。 【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

複数のマッハツェンダー干渉計(MZI)を含む光変調器の特性を評価する方法であって, 前記光変調器は,並列に接続されたN個(Nは2以上の整数)のMZIを含み,評価対象MZIをK番目のMZI(MZIK)とし,前記MZIKのn次サイドバンド成分の強度をSn,kとすると, 前記方法は,出力強度を測定する工程と,MZIの特性を評価する工程とを含み, 前記出力強度を測定する工程は,前記光変調器からの出力光に含まれるサイドバンド信号の強度(Sn,K)を求める工程であり; 前記特性を評価する工程は,前記Sn,kを用いて,前記MZIKの特性を評価する工程である, 方法。

IPC (2件)：

G01M 11/00 ,  G02F 1/035

FI (2件)：

G01M11/00 T ,  G02F1/035

Fターム (9件)：

2G086EE07 ,  2G086EE12 ,  2H079AA02 ,  2H079BA01 ,  2H079BA03 ,  2H079CA04 ,  2H079EA05 ,  2H079GA01 ,  2H079GA03

引用特許：

出願人引用 (2件)

• 特許第3538619号公報
  
• 特許第3866082号公報