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J-GLOBAL ID：201402254510943493   整理番号：14A1449793

フッ素終端処理によるダイヤモンドFETセンサのイオン感度制御

著者 (5件)： 小河晃太朗 (横河電機) ,  新谷幸弘 (横河電機) ,  新谷幸弘 (早稲田大) ,  猿谷敏之 (横河電機) ,  川原田洋 (早稲田大)
資料名： 日本分析化学会年会講演要旨集  (分析化学講演要旨集)
巻： 63rd  ページ： 111  発行年： 2014年09月03日 
JST資料番号： G0563B  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *ISFET ,  *ダイヤモンド ,  *フッ素添加 ,  化学センサ ,  *水素イオン濃度 ,  水素化 ,  ドーピング ,  プラズマ処理 ,  X線光電子分光法 ,  *イオンセンサ ,  ホウ素ドーピング ,  *鉱石 ,  *宝石
準シソーラス用語： *フッ素処理

分類 (3件)： その他の物理分析  (CC03014E) ,  酸塩基平衡  (CB04020D) ,  トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (6件)： フッ素 ,  終端 ,  ダイヤモンド ,  FET ,  イオン ,  感度