文献

J-GLOBAL ID：201402272783147450   整理番号：14A0049188

単層および二層カーボンナノチューブにおけるX線誘起欠陥の熱安定性

著者 (4件)： 山本勇樹 (和歌山大 システム工) ,  村上俊也 (和歌山大 システム工) ,  木曽田賢治 (和歌山大 教育) ,  伊東千尋 (和歌山大 システム工)
資料名： 光物性研究会論文集  (Proceedings of the Symposium of Association for Condensed Matter Photophysics, Japan)
巻： 24th  ページ： 15-18  発行年： 2013年 
JST資料番号： L3956A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *単層カーボンナノチューブ ,  *カーボンナノチューブ ,  *ナノ構造 ,  *X線照射 ,  *格子欠陥 ,  *熱安定性 ,  Raman散乱 ,  空格子点 ,  格子間原子 ,  化学反応 ,  活性化エネルギー ,  ウエハ【IC】 ,  化学蒸着 ,  *半導体薄膜 ,  熱処理 ,  脂肪族アルコール ,  二次反応 ,  *二層カーボンナノチューブ ,  シリコンウエハ ,  *熱アニーリング
準シソーラス用語： CVD法 ,  Si基板 ,  *熱アニール

分類 (4件)： 半導体の格子欠陥  (BK12040Q) ,  X線との相互作用  (BK16030H) ,  半導体の放射線による構造と物性の変化  (BK16123E) ,  半導体薄膜  (BK14040E)

物質索引 (1件)： エタノール

タイトルに関連する用語 (6件)： 単層 ,  二層カーボンナノチューブ ,  X線 ,  誘起 ,  欠陥 ,  熱安定性