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J-GLOBAL ID：201402272996728864   整理番号：14A1011944

Anti-ThCr₂Si₂型構造を有するビスマス酸カルコゲナイドに対するPbドープ効果

著者 (5件)： 上谷学 (東大 工) ,  酒井英明 (東大 工) ,  十倉好紀 (東大 工) ,  十倉好紀 (理研) ,  石渡晋太郎 (東大 工)
資料名： 日本物理学会講演概要集  (日本物理学会年次大会講演概要集)
巻： 69  号： 2 第3分冊  ページ： 387  発行年： 2014年08月22日 
JST資料番号： S0671B  ISSN： 1342-8349  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *ビスマス酸塩 ,  *テルル化物 ,  *ドーピング ,  鉛 ,  *特性 ,  磁気抵抗 ,  Hall効果 ,  電気抵抗 ,  輸送係数 ,  半金属 ,  温度依存性 ,  *絶縁材料 ,  *絶縁体 ,  Seebeck係数
準シソーラス用語： *輸送特性

分類 (1件)： その他の無機化合物の電気伝導  (BM03044O)

タイトルに関連する用語 (4件)： ビスマス酸 ,  カルコゲナイド ,  Pb ,  ドープ