特許
J-GLOBAL ID：201503019267573766
新規シルセスキオキサン誘導体及びそれから構成されるプロトン伝導膜
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (4件)：
川口 嘉之
, 松倉 秀実
, 佐貫 伸一
, 丹羽 武司
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-142262
公開番号（公開出願番号）：特開2013-007007
特許番号：特許第5742510号
出願日： 2011年06月27日
公開日（公表日）： 2013年01月10日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 下記式(1-1)及び(2-1)のいずれかで表されるシルセスキオキサン誘導体。
(式(1-1)中、Xは独立して、下記式(X-1)又は(X-2)で表される置換基であり、Rは独立してフェニル、シクロペンチル、シクロヘキシル、炭素数が1〜10のパーフルオロアルキル又はt-ブチルを表し、aは0〜1,000を表す。)
(式(X-1)及び(X-2)中、R1は独立して炭素数1〜4のアルキル又はフェニル
を表し、mは独立して1〜10を表し、nは独立して0〜100を表す。)
(式(2-1)中、Yは独立して、下記式(Y-1)、(Y-2)、又は(Y-3)で表さ
れる置換基であり、Rは独立してフェニル、シクロペンチル、シクロヘキシル、炭素数が1〜10のパーフルオロアルキル又はt-ブチルを表し、bは1〜1,000を表す。)
(式(Y-1)、(Y-2)、及び(Y-3)中、R1は独立して炭素数1〜4のアルキ
ル又はフェニルを表し、mは独立して1〜10を表し、nは独立して0〜100を表す。)
IPC (2件)：
C08G 77/395 ( 200 6.01)
, H01B 1/06 ( 200 6.01)
C08G 77/395
, H01B 1/06 A
