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J-GLOBAL ID：201602203082502128   整理番号：16A0282372

エピタキシャルGeナノドット含有Si構造を用いたSi系熱電材料の性能向上

著者 (8件)： 山阪司祐人 (大阪大 大学院) ,  渡辺健太郎 (大阪大 大学院) ,  渡辺健太郎 (JST-CREST) ,  澤野憲太郎 (東京都市大 総研) ,  竹内正太郎 (大阪大 大学院) ,  酒井朗 (大阪大 大学院) ,  中村芳明 (大阪大 大学院) ,  中村芳明 (JST-CREST)
資料名： 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Spring Meeting (CD-ROM))
巻： 63rd  ページ： ROMBUNNO.20P-W323-12  発行年： 2016年03月03日 
JST資料番号： Y0054B  ISSN： 2758-4704  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *熱電材料 ,  *ケイ素 ,  *複合材料 ,  ナノ構造 ,  ゲルマニウム ,  エピタクシー ,  性能 ,  ナノドット

分類 (1件)： 半導体結晶の電気伝導  (BM03043X)

タイトルに関連する用語 (6件)： エピタキシャル ,  Ge ,  ナノドット ,  Si ,  熱電材料 ,  性能向上