文献

J-GLOBAL ID：201602208068348363   整理番号：16A0281952

GaN表面CARE加工の反応メカニズムの第一原理計算による解析 II-表面キンクサイト周辺のH₂O終端構造-

著者 (6件)： 稲垣耕司 (大阪大 大学院) ,  BUI Pho Van (大阪大 大学院) ,  礒橋藍 (大阪大 大学院) ,  藤大雪 (大阪大 大学院) ,  森川良忠 (大阪大 大学院) ,  山内和人 (大阪大 大学院)
資料名： 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Spring Meeting (CD-ROM))
巻： 63rd  ページ： ROMBUNNO.20P-P9-21  発行年： 2016年03月03日 
JST資料番号： Y0054B  ISSN： 2758-4704  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *窒化ガリウム ,  *触媒反応 ,  *反応機構 ,  *計算 ,  解離吸着 ,  *第一原理計算

分類 (2件)： 触媒反応一般  (CB06080F) ,  吸着の電子論  (CB12042Y)

タイトルに関連する用語 (8件)： GaN ,  反応メカニズム ,  第一原理計算 ,  解析 ,  キンク ,  周辺 ,  H2O ,  終端