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J-GLOBAL ID：201602238620741827   整理番号：16A0941693

Si(111)基板上エピタキシャルβ-FeSi₂薄膜の熱電特性

著者 (12件)： 谷口達彦 (大阪大 基礎工) ,  坂根駿也 (大阪大 基礎工) ,  青木俊輔 (大阪大 基礎工) ,  奥畑亮 (大阪大 基礎工) ,  渡辺健太郎 (大阪大 基礎工) ,  渡辺健太郎 (JST-CREST) ,  鈴木健之 (大阪大 産科研) ,  藤田武志 (JST-CREST) ,  藤田武志 (東北大) ,  澤野憲太郎 (東京都市大 総研) ,  中村芳明 (大阪大 基礎工) ,  中村芳明 (JST-CREST)
資料名： 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Autumn Meeting (CD-ROM))
巻： 77th  ページ： ROMBUNNO.15p-A35-13  発行年： 2016年09月01日 
JST資料番号： Y0055B  ISSN： 2758-4704  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： 化合物半導体 ,  *半導体薄膜 ,  ケイ化物 ,  *鉄化合物 ,  *MBE成長 ,  基板 ,  ケイ素 ,  結晶方位 ,  電子顕微鏡観察 ,  走査電子顕微鏡 ,  透過型電子顕微鏡 ,  二次イオン質量分析 ,  *熱伝導率 ,  *熱起電力 ,  ケイ化鉄

分類 (1件)： 半導体結晶の電気伝導  (BM03043X)

タイトルに関連する用語 (4件)： Si ,  エピタキシャル ,  薄膜 ,  熱電特性