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J-GLOBAL ID：201602265502119346   整理番号：16A0930327

ダイヤモンド電解質溶液ゲートFETのしきい値

著者 (9件)： 稲葉優文 (早大 先進理工) ,  五十嵐圭為 (早大 先進理工) ,  楢村卓朗 (早大 先進理工) ,  阿部修平 (早大 先進理工) ,  柴田将暢 (早大 先進理工) ,  新谷幸弘 (横河電機) ,  平岩篤 (早大 先進理工) ,  川原田洋 (早大 先進理工) ,  川原田洋 (早大 材研)
資料名： 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Autumn Meeting (CD-ROM))
巻： 77th  ページ： ROMBUNNO.14p-A26-15  発行年： 2016年09月01日 
JST資料番号： Y0055B  ISSN： 2758-4704  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *FET【トランジスタ】 ,  *ゲート【半導体】 ,  *電解質溶液 ,  電解質 ,  *ダイヤモンド ,  半導体薄膜 ,  閾値 ,  pHセンサ ,  監視 ,  電流電圧特性 ,  二次元電子ガス ,  絶縁膜 ,  誘電体薄膜 ,  ゲート絶縁膜 ,  ダイヤモンド膜 ,  *鉱石 ,  *宝石 ,  センサ
準シソーラス用語： ダイヤモンド薄膜

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (5件)： ダイヤモンド ,  電解質溶液 ,  ゲート ,  FET ,  しきい値