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J-GLOBAL ID：201702256270812062   整理番号：17A1138621

結晶化高温アニールによる原子層堆積Al₂O₃膜バイアス安定性の向上

著者 (8件)： 堀川清貴 (早稲田大 理工) ,  大久保智 (早稲田大 理工) ,  蔭浦泰資 (早稲田大 理工) ,  平岩篤 (早稲田大) ,  平岩篤 (名大 未来研) ,  川原田洋 (早稲田大 理工) ,  川原田洋 (早稲田大) ,  川原田洋 (早大 材研)
資料名： 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Autumn Meeting (CD-ROM))
巻： 78th  ページ： ROMBUNNO.5p-C11-1  発行年： 2017年08月25日 
JST資料番号： Y0055B  ISSN： 2758-4704  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： 絶縁膜 ,  *化学蒸着 ,  バイアス ,  安定性 ,  *結晶化 ,  電圧 ,  *アルミナ ,  ケイ素 ,  アルミニウム ,  *MIS構造 ,  *RTA【熱処理】 ,  *容量電圧特性 ,  信頼度 ,  電流コラプス ,  度
準シソーラス用語： *原子層堆積 ,  フラットバンド電圧

分類 (2件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  金属-絶縁体-半導体構造  (BM03085X)

タイトルに関連する用語 (6件)： 結晶化 ,  アニール ,  原子層堆積 ,  Al2O3 ,  バイアス ,  安定性