文献

J-GLOBAL ID：201802223200125175   整理番号：18A0632165

高耐圧及び微細化に向けて構造改善を行った縦型2DHGダイヤモンドMOSFET

著者 (11件)： 岩瀧雅幸 (早稲田大 理工) ,  大井信敬 (早稲田大 理工) ,  牟田翼 (早稲田大 理工) ,  堀川清貴 (早稲田大 理工) ,  天野勝太郎 (早稲田大 理工) ,  日出幸昌邦 (早稲田大 理工) ,  蔭浦泰資 (早稲田大 理工) ,  稲葉優文 (名大 未来研) ,  平岩篤 (早稲田大 理工) ,  川原田洋 (早稲田大 理工) ,  川原田洋 (早大 材研)
資料名： 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Spring Meeting (CD-ROM))
巻： 65th  ページ： ROMBUNNO.18p-F206-7  発行年： 2018年03月05日 
JST資料番号： Y0054B  ISSN： 2758-4704  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *MOSFET ,  微細構造 ,  ダイヤモンド ,  二次元 ,  正孔 ,  鉱石 ,  宝石

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (5件)： 高耐圧 ,  微細化 ,  縦型 ,  ダイヤモンド ,  MOSFET