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J-GLOBAL ID：201802239554037424   整理番号：18A1697908

SiC上グラフェンの移動度に及ぼす界面の影響

著者 (4件)： 榊原涼太郎 (名古屋大 工) ,  河原憲治 (九大) ,  吾郷浩樹 (九大) ,  乗松航 (名大 院)
資料名： 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Autumn Meeting (CD-ROM))
巻： 79th  ページ： ROMBUNNO.18p-PB3-76  発行年： 2018年09月05日 
JST資料番号： Y0055B  ISSN： 2758-4704  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： 炭化ケイ素 ,  *グラフェン ,  *キャリア移動度 ,  界面 ,  バッファ層 ,  化学蒸着 ,  Hall効果 ,  原子間力顕微鏡 ,  Ramanスペクトル ,  温度依存性 ,  単層グラフェン
準シソーラス用語： SiC ,  エピタキシャルグラフェン ,  CVD【化学蒸着】 ,  AFM【顕微鏡】

分類 (1件)： 半導体結晶の電気伝導  (BM03043X)

タイトルに関連する用語 (4件)： SiC ,  グラフェン ,  移動度 ,  界面