水素終端ダイヤモンド表面上のSiO<sub>2</sub>薄膜が二次元正孔ガスに及ぼす影響

矢部太一; 工藤拓也; 大井信敬; 大久保智; 堀川清貴; 天野勝太郎; 日出幸昌邦; 露崎活人; 蔭浦泰資; 河野省三; 平岩篤; 川原田洋; 川原田洋

文献

J-GLOBAL ID：201802258976576890 整理番号：18A0632163

水素終端ダイヤモンド表面上のSiO₂薄膜が二次元正孔ガスに及ぼす影響

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資料名：
巻： 65th ページ： ROMBUNNO.18p-F206-5 発行年： 2018年03月05日
JST資料番号： Y0054B ISSN： 2758-4704 資料種別：会議録 (C)
記事区分：短報発行国：日本 (JPN) 言語：日本語 (JA)

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酸化物薄膜

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水素終端ダイヤモンド表面上のSiO2薄膜が二次元正孔ガスに及ぼす影響

水素終端ダイヤモンド表面上のSiO₂薄膜が二次元正孔ガスに及ぼす影響