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J-GLOBAL ID：201802260317549706   整理番号：18A1700740

オーバーラップゲート構造による高オン電流,低オン抵抗縦型2DHGダイヤモンドMOSFET

著者 (11件)： 西村隼 (早稲田大 理工) ,  岩瀧雅幸 (早稲田大 理工) ,  大井信敬 (早稲田大 理工) ,  堀川清貴 (早稲田大 理工) ,  天野勝太郎 (早稲田大 理工) ,  蔭浦泰資 (早稲田大 理工) ,  稲葉優文 (名大 未来研) ,  平岩篤 (早稲田大 理工) ,  平岩篤 (名大 未来研) ,  川原田洋 (早稲田大 理工) ,  川原田洋 (早大 材研)
資料名： 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Autumn Meeting (CD-ROM))
巻： 79th  ページ： ROMBUNNO.21p-232-11  発行年： 2018年09月05日 
JST資料番号： Y0055B  ISSN： 2758-4704  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *二次元電子ガス ,  化学蒸着 ,  *MOSFET ,  ゲート【半導体】 ,  オン抵抗 ,  *ダイヤモンド ,  電流電圧特性 ,  電流密度 ,  ソース【半導体】 ,  電流 ,  *二次元正孔ガス ,  水素終端 ,  *鉱石 ,  *宝石
準シソーラス用語： ALD【蒸着】 ,  オーバーラップゲート ,  ドレイン電流

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (6件)： ラップゲート ,  高 ,  オン抵抗 ,  縦型 ,  ダイヤモンド ,  MOSFET