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J-GLOBAL ID：201902253374279915   整理番号：19A1369835

MBEによるダイヤモンド(111)基板上の電気伝導性AlGaN薄膜の成長

著者 (7件)： 河野省三 (早稲田大) ,  蔭浦泰資 (早稲田大 理工) ,  河合空 (早稲田大 理工) ,  BUENDIA Jorge J. (早稲田大 理工) ,  矢部太一 (早稲田大 理工) ,  川原田洋 (早稲田大) ,  川原田洋 (早稲田大 理工)
資料名： 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Spring Meeting (CD-ROM))
巻： 66th  ページ： ROMBUNNO.9p-PA3-13  発行年： 2019年02月25日 
JST資料番号： Y0054B  ISSN： 2758-4704  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

本文一部表示： はじめに n型AlNとp型ダイヤモンド接合が実現するとパワーデバイス等への用途が拡大することで、ダイヤモンド基板上のAlN薄膜成長は注目されている。ダイヤモンド基板上のAlN薄膜成長はMOCVDによる成長例がすでにいくつか報告されている[1...【本文一部表示】

シソーラス用語： *アルミニウム化合物 ,  *ガリウム化合物 ,  *窒化物 ,  化合物半導体 ,  *半導体薄膜 ,  *MBE成長 ,  基板 ,  ダイヤモンド ,  RHEED ,  ケイ素 ,  ドーピング ,  *窒化アルミニウムガリウム ,  鉱石 ,  宝石
準シソーラス用語： *AlGaN ,  Ib型ダイヤモンド ,  ダイヤモンド基板

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (6件)： MBE ,  ダイヤモンド ,  電気伝導性 ,  AlGaN ,  薄膜 ,  成長