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J-GLOBAL ID:201902253374279915   整理番号:19A1369835

MBEによるダイヤモンド(111)基板上の電気伝導性AlGaN薄膜の成長

著者 (7件):
資料名:
巻: 66th  ページ: ROMBUNNO.9p-PA3-13  発行年: 2019年02月25日 
JST資料番号: Y0054B  ISSN: 2436-7613  資料種別: 会議録 (C)
記事区分: 短報  発行国: 日本 (JPN)  言語: 日本語 (JA)
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はじめに n型AlNとp型ダイヤモンド接合が実現するとパワーデバイス等への用途が拡大することで、ダイヤモンド基板上のAlN薄膜成長は注目されている。ダイヤモンド基板上のAlN薄膜成長はMOCVDによる成長例がすでにいくつか報告されている[1...【本文一部表示】
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分類 (1件):
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半導体薄膜 

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