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J-GLOBAL ID：202002234263297285   整理番号：20A2238216

Si基板上B20型CoSi薄膜の電子状態と熱電特性の関係

Relationship between electronic states and thermoelectric characteristics in B20-type CoSi film /Si

著者 (7件)： 石部貴史 (大阪大 大学院) ,  雛川貴弘 (大阪大 大学院) ,  坂根駿也 (大阪大 大学院) ,  佐藤和則 (大阪大 大学院) ,  小林英一 (九州シンクロトロン光研究セ) ,  藤田武志 (高知工科大) ,  中村芳明 (大阪大 大学院)
資料名： 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Spring Meeting (CD-ROM))
巻： 67th  ページ： ROMBUNNO.14a-A202-5  発行年： 2020年02月28日 
JST資料番号： Y0054B  ISSN： 2758-4704  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

本文一部表示： 【背景】Si基板上薄膜熱電材料は、メンテナンスフリー、自立発電可能、Siプロセスとの高い整合性の観点で、IoTセンサ用電源として期待されている。熱電特性向上のためには、高い出力因子と低い熱伝導率が求められるが、それらの相互依存のため同時実現...【本文一部表示】

シソーラス用語： X線回折 ,  結晶構造 ,  焼なまし ,  超高真空 ,  熱伝導率 ,  *薄膜 ,  *ケイ素 ,  スペクトル ,  電気特性 ,  薄膜成長 ,  MBE成長 ,  X線光電子分光法 ,  *電子状態 ,  Seebeck係数 ,  第一原理計算
準シソーラス用語： *熱電特性 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 熱電デバイス  (NC03090J) ,  金属薄膜  (BK14030T)

タイトルに関連する用語 (3件)： Si基板 ,  電子状態 ,  熱電特性