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J-GLOBAL ID：202002285296944754   整理番号：20A2237568

AlGaAs/GaAs系二次元電子ガスによる出力因子増大

Enhancement of power factor by two-dimensional electron gas in AlGaAs/GaAs system

著者 (7件)： 上松悠人 (大阪大) ,  谷口達彦 (大阪大) ,  細田凌矢 (大阪大) ,  石部貴史 (大阪大) ,  間野高明 (物質・材料研究機構) ,  大竹晃浩 (物質・材料研究機構) ,  中村芳明 (大阪大)
資料名： 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Spring Meeting (CD-ROM))
巻： 67th  ページ： ROMBUNNO.13a-D511-3  発行年： 2020年02月28日 
JST資料番号： Y0054B  ISSN： 2758-4704  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

本文一部表示： 【背景】近年需要の高まっているIoTセンサ用電源として熱電変換が注目されている。熱電材料の性能向上のためには、低い熱伝導率(κ)と高い出力因子(S2σ)の同時実現が求められる。二次元電子ガス(2DEG)は、劇的なS2σ増大をもたらすため、こ...【本文一部表示】

シソーラス用語： Hall効果 ,  移動度 ,  最適化 ,  超高真空 ,  熱伝導率 ,  薄膜 ,  *ヒ化ガリウム ,  電気特性 ,  キャリア密度 ,  変調ドーピング ,  MBE成長 ,  *ヒ化ガリウムアルミニウム ,  *二次元電子ガス ,  熱電材料 ,  Seebeck係数 ,  改変

分類 (1件)： 13-15族化合物を含む半導体-半導体接合  (BM03082Y)

タイトルに関連する用語 (4件)： AlGaAs ,  GaAs ,  二次元電子ガス ,  出力因子