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J-GLOBAL ID：202102219428364397   整理番号：21A2600280

減圧プラズマ酸化における反応焼結SiCの酸化特性

著者 (5件)： 陶通 (大阪大 大学院工学研究科) ,  孫栄硯 (大阪大 大学院工学研究科) ,  川合健太郎 (大阪大 大学院工学研究科) ,  有馬健太 (大阪大 大学院工学研究科) ,  山村和也 (大阪大 大学院工学研究科)
資料名： 精密工学会関西地方定期学術講演会講演論文集  (精密工学会関西地方学術講演会講演論文集)
巻： 2021  ページ： 54-55  発行年： 2021年06月30日 
JST資料番号： L6024A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 反応焼結SiC(RS-SiC)は,優れた機械的特性,熱特性を持つことから,有望な光学ミラーデバイス材料である.高品質な仕上げ研磨を実現するために,プラズマ照射と軟質砥粒除去を組み合わせたプラズマ援用研磨法(PAP)を提案した.本研究では,O2含有減圧アルゴンプラズマの照射による,RS-SiC基板の酸化効果とRS-SiCの異なる成分の酸化特性を,走査型電子顕微鏡,エネルギー分散型X線分光法を用いて調べた。(著者抄録)

シソーラス用語： 研磨 ,  *酸化 ,  *プラズマ ,  走査電子顕微鏡 ,  耐摩耗性 ,  砥粒 ,  アルゴン ,  *ケイ素 ,  耐食性 ,  酸化膜 ,  *炭化ケイ素 ,  *減圧 ,  スペクトル ,  大気プラズマ ,  プラズマ曝露 ,  機械工作 ,  機械的性質 ,  耐性 ,  化成皮膜

分類 (2件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  固体デバイス材料  (NC03020K)

タイトルに関連する用語 (5件)： 減圧 ,  プラズマ酸化 ,  反応焼結 ,  SiC ,  酸化