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J-GLOBAL ID：202102274425092644   整理番号：21A2600275

触媒表面基準エッチング法におけるシリコンの除去機構の解明

著者 (7件)： 板垣果歩 (大阪大 大学院) ,  萩原拓 (大阪大 大学院) ,  萱尾清人 (大阪大 大学院) ,  VAN PHO Bui (大阪大 大学院) ,  藤大雪 (大阪大 大学院) ,  佐野泰久 (大阪大 大学院) ,  山内和人 (大阪大 大学院)
資料名： 精密工学会関西地方定期学術講演会講演論文集  (精密工学会関西地方学術講演会講演論文集)
巻： 2021  ページ： 44-45  発行年： 2021年06月30日 
JST資料番号： L6024A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 現在,我々は,X線ミラーの母材となるSi基板の新たな表面作製技術として,触媒表面基準エッチング法の開発を進めている.本加工法によりSiの高精度な平滑面を実現可能であるが,その材料除去機構は未解明である.そこで本研究では,溶存酸素濃度の調整が可能な装置系を設計し,溶存酸素濃度を変化させた場合のSiの加工特性を調査した.その結果,CARE法におけるSiの材料除去経路は,触媒と水分子のみの系で完結することを明らかにした.(著者抄録)

シソーラス用語： *エッチング ,  研磨 ,  酸化 ,  計算機シミュレーション ,  *ケイ素 ,  酸素 ,  窒素 ,  白金 ,  溶存酸素 ,  加水分解 ,  触媒活性 ,  疎水性 ,  二酸化ケイ素 ,  分子動力学 ,  原子間力顕微鏡 ,  機械工作 ,  計算機利用 ,  利用

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (3件)： 触媒 ,  エッチング ,  シリコン