特許

J-GLOBAL ID：202103005024425382

駆動回路及び電子デバイス

発明者： 丹沢 徹 ,  松山 和樹
出願人/特許権者： 国立大学法人静岡大学
代理人 (2件)： 長谷川 芳樹 ,  諏澤 勇司
公報種別：再公表公報
出願番号（国際出願番号）：JP2019045128
公開番号（公開出願番号）：WO2020-105596
出願日： 2019年11月18日
公開日（公表日）： 2020年05月28日
要約：

一形態にかかるNANDフラッシュメモリ1は、メモリアレイ11と、検出回路17と駆動回路19とを含む。駆動回路19は、直線的に配列された複数のメモリセルに接続される直線状のワード線WLを介して、複数のメモリセルを駆動する回路であって、ステップ状に電圧値Eほど立ち上がる電圧信号の立ち上りに対応するタイミングにおいて、所定波高値αEのプリパルスが設定された駆動電圧を生成し、その駆動電圧をワード線WLに印加する機能と、ワード線WLの所定箇所の電圧値を検出し、検出した電圧値に応じてプリパルスの時間幅を設定する機能とを備える。

請求項（抜粋）：

直線的に配列された複数のセルに接続される直線状の配線部を介して、前記複数のセルを駆動する駆動回路であって、 ステップ状に所定電圧値ほど変化する電圧信号の立ち上りあるいは立ち下りに対応したタイミングにおいて所定波高値のプリパルスが設定された駆動電圧を生成し、前記駆動電圧を前記配線部に印加する電圧印加部と、 前記配線部の所定箇所の電圧値を検出し、検出した電圧値に応じて前記プリパルスの時間幅を設定する制御部と、 を備える駆動回路。

IPC (4件)：

G11C 7/22 ,  G11C 8/08 ,  G11C 16/08 ,  G11C 16/32

FI (4件)：

G11C7/22 300 ,  G11C8/08 ,  G11C16/08 120 ,  G11C16/32

Fターム (7件)：

5B225BA01 ,  5B225CA21 ,  5B225DA09 ,  5B225EF25 ,  5B225EH05 ,  5B225EJ07 ,  5B225FA02