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J-GLOBAL ID：202202242272062981   整理番号：22A2381635

紫外光照射を援用した触媒表面基準エッチング法を用いた窒化ガリウム基板の高能率平滑化

著者 (5件)： 萱尾澄人 (大阪大 大学院) ,  藤大雪 (大阪大 大学院) ,  山田純平 (大阪大 大学院) ,  山内和人 (大阪大 大学院) ,  佐野泰久 (大阪大 大学院)
資料名： 精密工学会関西地方定期学術講演会講演論文集  (精密工学会関西地方学術講演会講演論文集)
巻： 2022  ページ： 32-33  発行年： 2022年07月08日 
JST資料番号： L6024A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 窒化ガリウムはその優れた物性値から次世代半導体として期待されている材料である.優れた物性値を十分に引き出したデバイスを作るためには原子レベルで平滑な窒化ガリウムウエハが求められる.我々は触媒表面基準エッチング法に紫外光照射による光電気化学酸化を援用したPEC-CARE法を提案する.本発表ではPEC-CARE法における光電気化学酸化の寄与を評価した結果について報告する.(著者抄録)

シソーラス用語： *エッチング ,  研磨 ,  酸化 ,  *紫外線 ,  正孔 ,  半導体 ,  白金 ,  酸化物 ,  酸化膜 ,  *触媒 ,  *紫外線照射 ,  ウエハ【IC】 ,  *窒化ガリウム ,  原子間力顕微鏡 ,  バンドギャップ ,  機械工作 ,  化成皮膜

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (7件)： 紫外光照射 ,  援用 ,  触媒 ,  エッチング ,  窒化ガリウム ,  高能率 ,  平滑化