高ホットキャリア信頼度の傾斜形接合ゲート/n<sup>-</sup>重畳LDD・MOSFET構造

OKUMURA Y; KUNIKIYO T; OGOH I; GENJO H; INUISHI M; NAGATOMO M; MATSUKAWA T

文献

J-GLOBAL ID：200902040140602314 整理番号：92A0015454

高ホットキャリア信頼度の傾斜形接合ゲート/n^-重畳LDD・MOSFET構造

Graded-Junction Gate/n^- Overlapped LDD MOSFET Structures for High Hot-Carrier Reliability.

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資料名：
巻： 38 号： 12 ページ： 2647-2656 発行年： 1991年12月
JST資料番号： C0222A ISSN： 0018-9383 CODEN： IETDAI 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

斜角回転イオン注入技術により製作されたゲート/n<sup>-...

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トランジスタ , 半導体結晶の電気伝導

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高ホットキャリア信頼度の傾斜形接合ゲート/n-重畳LDD・MOSFET構造

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