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J-GLOBAL ID：200902092863888470   整理番号：87A0233455

微小集束イオンビーム露光と乾式現像法を用いたサブミクロンゲートMOSFET

Submicrometer-gate MOSFET’s by the use of focused-ion-beam exposure and a dry development technique.

著者 (5件)： MORIMOTO H (Mitsubishi Electric Corp., Itami, JPN) ,  TSUKAMOTO K (Mitsubishi Electric Corp., Itami, JPN) ,  SHINOHARA H (Mitsubishi Electric Corp., Itami, JPN) ,  INUISHI M (Mitsubishi Electric Corp., Itami, JPN) ,  KATO T (Mitsubishi Electric Corp., Itami, JPN)
資料名： IEEE Transactions on Electron Devices  (IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 34  号： 2 Pt.1  ページ： 230-234  発行年： 1987年02月 
JST資料番号： C0222A  ISSN： 0018-9383  CODEN： IETDAI  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Ga集束イオンビーム照射後に酸素プラズマ現像処理して,0.1...

シソーラス用語： イオンビーム加工 ,...

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分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (5件)： 微小 ,  集束イオンビーム ,  露光 ,  現像 ,  MOSFET