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J-GLOBAL ID：200902102998483220   整理番号：97A0802746

電気化学プロセスによるInP系化合物半導体のショットキー障壁高の制御とその機構

Control of Schottky Barrier Heights on Indium Phosphite-Based Materials by In-Situ Electrochemical Process and Its Mechanism.

著者 (3件)： 佐藤威友 (北大) ,  橋詰保 (北大) ,  長谷川英機 (北大)
資料名： 電子情報通信学会技術研究報告  (IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻： 97  号： 158(ED97 65-74)  ページ： 13-18  発行年： 1997年07月14日 
JST資料番号： S0532B  ISSN： 0913-5685  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： In-situ電気化学プロセスによる新しいショットキー障壁形...

シソーラス用語： 電気化学反応 ,...

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分類 (2件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  半導体-金属接触  (BM03084G)

引用文献 (11件)：

• SPICER, W. E. J. Vac. Sci. & Technol. 1980, 17, 5, 1019
• HEINE, V. Phys. Rev. Lett., A. 1965, A138, 1689
• TERSOFF, J. Phys. Rev. Lett. 1984, 52, 465
• HASEGAWA, H. J. Vac. Sci. & Technol., B. 1986, B4, 1130
• HASEGAWA, H. Proc. 18th Int. Conf. on the Physics of Semiconductors, 1986. 1986, 1, 291

タイトルに関連する用語 (5件)： 電気化学 ,  プロセス ,  InP ,  化合物半導体 ,  ショットキー障壁