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文献
J-GLOBAL ID:200902106288724436   整理番号:02A0616151

ACCMによるSiC生成のin-situ観察

In-situ observation of Silicon Carbide formation process by ACCM.
著者 (5件):
資料名:
巻: 29  号:ページ: 161  発行年: 2002年07月01日 
JST資料番号: F0452B  ISSN: 0385-6275  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 短報  発行国: 日本 (JPN)  言語: 日本語 (JA)
抄録/ポイント:
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固相反応によるSiC粒子の生成過程を,ガス中蒸発法で作製した...
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分類 (2件):
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半導体薄膜  ,  薄膜成長技術・装置 
タイトルに関連する用語 (2件):
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