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J-GLOBAL ID：200902112083802558   整理番号：99A0580934

RIE損傷Si中欠陥密度のフォトレフレクタンス分光法による評価

Characterization of RIE-Induced Defect Density in Si by Photoreflectance Spectroscopy.

著者 (6件)： 和田秀夫 (大阪大) ,  阿形真司 (大阪大) ,  藤本晶 (和歌山工高専) ,  江利口浩二 (松下電器産業) ,  金島岳 (大阪大) ,  奥山雅則 (大阪大)
資料名： 応用物理学会学術講演会講演予稿集  (Extended Abstracts. Annual Meeting. Japan Society of Applied Physics)
巻： 59th  号： 2  ページ： 690  発行年： 1998年09月 
JST資料番号： Y0055A  資料種別： 会議録 (C)
発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

タイトルに関連する用語 (8件)： RIE ,  損傷 ,  Si ,  欠陥密度 ,  フォト ,  レフレクタンス ,  分光法 ,  評価