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J-GLOBAL ID：200902117563607072   整理番号：96A0772858

超LSI技術 20 デバイスとプロセス その10 イオン注入によるクォータミクロンCMOS構造設計

VLSI technology. 20. Devices and processes. No. 10. Design of a quater micron CMOS structure by ion implantation.

著者 (5件)： 黒井隆 (三菱電機 ULSI開研) ,  清水悟 (三菱電機 ULSI開研) ,  奥村喜紀 (三菱電機 ULSI開研) ,  犬石昌秀 (三菱電機 ULSI開研) ,  平尾正 (三菱電機 ULSI開研)
資料名： 半導体研究
巻： 42  ページ： 45-88  発行年： 1996年08月 
JST資料番号： X0816A  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 解説  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： クォータミクロンCMOSデバイス構造について述べた後,高エネ...

シソーラス用語： CMOS構造 ,...
準シソーラス用語： クォータミクロン加工

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分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (5件)： LSI ,  プロセス ,  イオン注入 ,  CMOS構造 ,  設計