Si表面に吸着したC<sub>60</sub>からのSiC薄膜の形成

文献

J-GLOBAL ID：200902120554479810 整理番号：97A0550617

Si表面に吸着したC₆₀からのSiC薄膜の形成

SiC film formation from C60 monolayer on Si surface.

出版者サイト複写サービスで全文入手
高度な検索・分析はJDreamⅢで {{ this.onShowJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=97A0550617&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=S0671A") }}

著者 (7件)： , , , , , ,
資料名：
巻： 52 号： 1 Pt 2 ページ： 334 発行年： 1997年03月
JST資料番号： S0671A ISSN： 1342-8349 資料種別：会議録 (C)
発行国：日本 (JPN) 言語：日本語 (JA)

, , , ,

前のページに戻る