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J-GLOBAL ID：200902130278083775   整理番号：96A0443693

低濃度ドープのドレイン構造をもつ高信頼性で1/4ミクロン以下のサイズの金属-酸化物電界効果トランジスタ(MOSFET)における窒素イオン注入の効果

Impact of Nitrogen Implantation on Highly Reliable Sub-Quarter-Micron Metal Oxide Field-Effect Transistors (MOSFETs) with Lightly Doped Drain Structure.

著者 (6件)： SHIMIZU S (Mitsubishi Electric Corp., Hyogo, JPN) ,  KUROI T (Mitsubishi Electric Corp., Hyogo, JPN) ,  KUSUNOKI S (Mitsubishi Electric Corp., Hyogo, JPN) ,  OKUMURA Y (Mitsubishi Electric Corp., Hyogo, JPN) ,  INUISHI M (Mitsubishi Electric Corp., Hyogo, JPN) ,  MIYOSHI H (Mitsubishi Electric Corp., Hyogo, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers)
巻： 35  号： 2B  ページ： 802-806  発行年： 1996年02月 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： LDD-MOSFETのホットキャリアによる劣化を抑制し,信頼...

シソーラス用語： MOSFET ,...
準シソーラス用語： 界面状態 ,...

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分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

引用文献 (17件)：

• SHIBAHARA, K. Tech.Dig.Int.Electron Device Meet. 1994, 639
• KOGA, T. Tech.Dig.Int.Electron Device Meet. 1994, 927
• NOGUCHI, M. Dig.Symp.VLSI Technology. 1995, 137
• HILLENIUS, S. J. Tech.Dig.Int.Electron Device Meet. 1986, 252
• CHAPMAN, R. A. Tech.Dig.Int.Electron Device Meet. 1988, 52

タイトルに関連する用語 (10件)： 低濃度 ,  ドープ ,  ドレイン ,  高信頼性 ,  サイズ ,  酸化物 ,  電界効果トランジスタ ,  MOSFET ,  窒素イオン ,  注入