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J-GLOBAL ID：200902130624101351   整理番号：99A0497005

パルスモード電気化学プロセスによる化合物半導体へのナノショットキー接触の形成と評価

Fabrication of Nano-Schottky Contacts on Compound Semiconductor by Pulsed Mode Electrochemical Process and Its Characterization.

著者 (3件)： 佐藤威友 (北大) ,  岡田浩 (北大) ,  長谷川英機 (北大)
資料名： 電子情報通信学会技術研究報告  (IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻： 99  号： 21(ED99 1-10)  ページ： 39-44  発行年： 1999年04月22日 
JST資料番号： S0532B  ISSN： 0913-5685  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 電気化学プロセスと電子ビーム(EB)リソグラフィを組み合わせ...

シソーラス用語： *リン化インジウム ,...
準シソーラス用語： ひ化アルミニウムインジウム

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分類 (3件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  半導体-金属接触  (BM03084G) ,  電気化学反応  (CB07050F)

引用文献 (10件)：

• ENOKI, T. Jpn. J. Appl. Phys. 1994, 33, 798
• SMITH, P. M. IEEE MicroWave and Guided Wave Lett. 1995, 5-7, 230
• WU, N. J. Jpn. J. Appl. Phys. 1995, 34, 1162
• UNO, S. Jpn. J. Appl. Phys. 1996, 35, 1258
• SATO, T. Jpn. J. Appl. Phys. 1997, 36, 1811

タイトルに関連する用語 (5件)： パルス ,  電気化学 ,  プロセス ,  化合物半導体 ,  評価