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J-GLOBAL ID：200902147472193182   整理番号：00A0461175

ボディ浮遊SOI MOSトランジスタの電流駆動能力低下メカニズムとその改善構造

Analysis and Improvement of Limited Current Drivability in Floating Partially-Depleted SOI MOSFET’s.

著者 (7件)： 松本拓治 (三菱電機 ULSI技開セ) ,  前田茂伸 (三菱電機 ULSI技開セ) ,  平野有一 (三菱電機 ULSI技開セ) ,  山口泰男 (三菱電機 ULSI技開セ) ,  前川繁登 (三菱電機 ULSI技開セ) ,  犬石昌秀 (三菱電機 ULSI技開セ) ,  西村正 (三菱電機 ULSI技開セ)
資料名： 電子情報通信学会技術研究報告  (IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻： 99  号： 681(SDM99 225-234)  ページ： 1-6  発行年： 2000年03月13日 
JST資料番号： S0532B  ISSN： 0913-5685  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： SOI MOSFETの基板浮遊効果は,キンク効果・ソースード...

シソーラス用語： *MOSFET ,...
準シソーラス用語： SSD構造

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分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (7件)： ボディ ,  浮遊 ,  SOI ,  MOSトランジスタ ,  電流駆動 ,  能力低下 ,  メカニズム