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J-GLOBAL ID：200902154554655121   整理番号：96A0443707

サブ1/4ミクロン領域のソース/ドレイン不均一ドープチャネル(NUDC)MOSFETの信頼性

Reliability of Source-to-Drain Non-Uniformly Doped Channel (NUDC) MOSFETs for Sub-Quarter-Micron Region.

著者 (6件)： SHIRAHATA M (Mitsubishi Electric Corp., Hyogo, JPN) ,  OKUMURA Y (Mitsubishi Electric Corp., Hyogo, JPN) ,  ABE Y (Mitsubishi Electric Corp., Hyogo, JPN) ,  KUROI T (Mitsubishi Electric Corp., Hyogo, JPN) ,  INUISHI M (Mitsubishi Electric Corp., Hyogo, JPN) ,  MIYOSHI H (Mitsubishi Electric Corp., Hyogo, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers)
巻： 35  号： 2B  ページ： 874-881  発行年： 1996年02月 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 標記MOSFETにおけるホットキャリア劣化のシミュレーション...

シソーラス用語： MOSFET ,...
準シソーラス用語： 低電圧デバイス ,...

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分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

引用文献 (10件)：

• OGURA, S. Tech.Dig.Int.Electron Device Meet. 1982, 718
• OKUMURA, Y. Tech.Dig.Int.Electron Device Meet. 1990, 391
• CHATTERJEE, A. Tech.Dig.Int.Electron Device Meet. 1994, 87
• HORI, A. Tech.Dig.Int.Electron Device Meet. 1992, 699
• HORI, T. Tech.Dig.Int.Electron Device Meet. 1994, 75

タイトルに関連する用語 (7件)： サブ ,  ソース ,  ドレイン ,  不均一 ,  ドープ ,  チャネル ,  MOSFET