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J-GLOBAL ID：200902157408327057   整理番号：94A0451333

水素結合エピタキシー法による選択配向SnO₂薄膜の合成

Preparation of selectively Oriented SnO2 Thin Film by Hydrogen Bond Epitaxy Method.

著者 (5件)： 森田一英 (山形大 工) ,  神戸士郎 (山形大 工) ,  大西久男 (大阪ガス) ,  大嶋重利 (山形大 工) ,  奥山克郎 (山形大 工)
資料名： 応用物理学関係連合講演会講演予稿集  (Extended Abstracts. Spring Meeting. Japan Society of Applied Physics and Related Societies)
巻： 41st  号： Pt 1  ページ： 347  発行年： 1994年03月 
JST資料番号： Y0054A  資料種別： 会議録 (C)
発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

タイトルに関連する用語 (4件)： 水素結合 ,  エピタキシー ,  選択配向 ,  薄膜