文献
J-GLOBAL ID:200902158897696716   整理番号:02A0472242

MBE選択成長法により形成したGaAs/AlGaAs結合量子細線構造の評価

著者 (3件):
資料名:
巻: 49th  号:ページ: 1392  発行年: 2002年03月27日 
JST資料番号: Y0054A  資料種別: 会議録 (C)
記事区分: 短報  発行国: 日本 (JPN)  言語: 日本語 (JA)
シソーラス用語:
シソーラス用語/準シソーラス用語
文献のテーマを表すキーワードです。
部分表示の続きはJDreamⅢ(有料)でご覧いただけます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。
,...
   続きはJDreamIII(有料)にて  {{ this.onShowAbsJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=02A0472242&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=Y0054A") }}
分類 (2件):
分類
JSTが定めた文献の分類名称とコードです
半導体薄膜  ,  13-15族化合物を含む半導体-半導体接合 

前のページに戻る