フェムト秒レーザー照射による強磁場中に置かれた半導体からの高強度テラヘルツ電磁波の発生

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J-GLOBAL ID：200902166129290215 整理番号：02A0615234

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資料名：
巻： 2001 ページ： 133-135 発行年： 2002年06月
JST資料番号： X0986A 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：日本 (JPN) 言語：日本語 (JA)

テラヘルツ領域は光と電磁波の接点領域に相当する。その新たな利...

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その他の無機化合物の磁性

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