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J-GLOBAL ID：200902171933123600   整理番号：93A0439161

自己整合シリサイド化によるポリシリコン ソース/ドレイン(PSD)トランジスタを有する新しいCMOS構造

Special Issue on Sub-Half Micron Si Device and Process Technologies. A Novel CMOS Structure with Polysilicon Source/Drain (PSD) Transistors by Self-Aligned Silicidation.

著者 (4件)： SHIMIZU M (Mitsubishi Electric Corp., Itami-shi, JPN) ,  YAMAGUCHI T (Mitsubishi Electric Corp., Itami-shi, JPN) ,  INUISHI M (Mitsubishi Electric Corp., Itami-shi, JPN) ,  TSUKAMOTO K (Mitsubishi Electric Corp., Itami-shi, JPN)
資料名： IEICE Transactions on Electronics (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers)  (IEICE Transactions on Electronics (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻： E76-C  号： 4  ページ： 532-540  発行年： 1993年04月 
JST資料番号： L1370A  ISSN： 0916-8524  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 新しい自己整合によるTiサリサイドPSD(Polysilic...

シソーラス用語： MOSFET ,...

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分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (8件)： 自己整合 ,  シリサイド ,  ポリシリコン ,  ソース ,  ドレイン ,  PSD ,  トランジスタ ,  CMOS構造